主要功能
Ø 自动识别MOS管类型（P沟道或N沟道）
Ø 最大脉冲电流100A，输出高压1100V
Ø 采用7寸触摸屏显示
Ø 采用可拆卸的测试座，方便更换其它封装的测试座，使得仪器的适用范围更广
Ø 测试项目可以自由选择
Ø 可存储20组数据，每组数据包含MOS管的测试条件和上下限
技术指标
参 数 | 测量范围 |
开启电压VGS(th) Gate threshold voltage | 1-15 V |
饱和内阻RDS Static drain-source on resistance | 1.0-6553.5 mΩ |
跨导gfs Forward transconductance | 1.0-100.0 s |
耐压V(BR)DSS Drain-source breakdown voltage | 30-1100 V |
漏电流IDSS Zero gate voltage drain current (VGS = 0) | 5-1000μA |
体内二极管正向电压Vsd Forward on voltage | 0.1-15 V |
